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Desde hace ocho años, la comunidad científica ha reconocido el enorme potencial de la wurtzita en la producción de chips de memoria. En 2018, un equipo liderado por Simon Fichtner, un experto en ciencia de materiales y semiconductores, demostró la presencia de ferroelectricidad en AlScN, un material semiconductor caracterizado por su estructura de wurtzita. Este tipo de estructura no solo permite la representación de datos mediante dos estados de polarización eléctrica estables, sino que también ofrece la posibilidad de desarrollar memorias no volátiles que preservan la información sin necesidad de alimentación eléctrica.
No obstante, el AlScN enfrenta un desafío significativo: su degradación tras múltiples ciclos de escritura. Sin embargo, un grupo de investigadores de la Universidad de Xidian, en China, ha encontrado una solución a este problema. En un artículo publicado en la revista Science el 10 de septiembre, demostraron que su estructura de AlScN/AlN es capaz de soportar más de 10.000 millones de ciclos de escritura, gracias a un diseño que confina las vacantes de nitrógeno responsables de la degradación del material.
El equipo, encabezado por Ruiqing Wang, no es el primero en alcanzar esta cifra, ya que en enero de 2026, Hyunmin Cho y su equipo internacional publicaron un estudio en Nature Communications sobre la resistencia de condensadores ferroeléctricos de AlScN de menos de 50 nm. Sin embargo, el enfoque innovador del equipo de Xidian radica en su capacidad para confinar las vacantes de nitrógeno, lo que les ha permitido lograr una resistencia notable en su material. Aunque este avance es significativo, no se espera que esta tecnología reemplace a las memorias DRAM o NAND en el corto plazo, ya que aún persisten desafíos en la fabricación a gran escala y en la optimización de su rendimiento.
Para China, liderar la investigación en este ámbito es crucial, especialmente considerando su dependencia actual de fabricantes surcoreanos y estadounidenses para acceder a memorias de alto ancho de banda necesarias para sus centros de datos de inteligencia artificial. La investigación en materiales ferroeléctricos con estructura de wurtzita podría ofrecer a China la oportunidad de cambiar la base tecnológica en la próxima carrera por memorias de alto rendimiento.
Fuente original: Xataka.
