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Durante la conferencia SEMICON en Taiwán, Rohmund subrayó la brecha tecnológica que, según él, separa a los sistemas ópticos de su empresa de los que se están desarrollando en China. Sin embargo, no se puede ignorar que Huawei ha estado trabajando en un prototipo operativo de máquina de ultravioleta extremo (UVE) en un laboratorio altamente seguro en Shenzhen, aunque todavía no ha logrado producir circuitos integrados operativos. Este esfuerzo involucra a miles de ingenieros y varias instituciones, como el Instituto de Tecnología de Harbin, que se encarga de la fuente de luz, y el Instituto de Óptica de Changchún, que maneja los sistemas ópticos. Además, SMEE (Shanghai Micro Electronics Equipment) está a cargo de la integración final, con la colaboración de SiCarrier, una empresa respaldada por el Gobierno de Shenzhen.
La meta del Gobierno chino es clara: pretende iniciar la producción de chips utilizando esta tecnología avanzada para el año 2028. Sin embargo, muchos analistas creen que una fecha más realista podría ser 2030. A pesar de las afirmaciones de Zeiss, los avances tecnológicos en China no deben subestimarse. Las ópticas más sofisticadas desarrolladas por Zeiss están incorporadas en los equipos UVE de alta apertura de ASML, pero las máquinas en prueba en China no necesariamente requieren de componentes ópticos tan avanzados.
Los sistemas de fotolitografía UVE son complejos y requieren dos subsistemas fundamentales: el sistema de emisión de luz ultravioleta, que utiliza la vaporización con láser de microgotas de estaño, y la arquitectura óptica, que es responsabilidad de Zeiss. En estas máquinas, los elementos ópticos son esenciales para transportar la luz UVE de una longitud de onda de 13,5 nm desde la fuente de emisión hasta la máscara que contiene el patrón geométrico que se desea plasmar en la oblea de silicio. La precisión en la fabricación de los espejos es crucial; si no se logran las especificaciones necesarias, el patrón se verá distorsionado, lo que afectará la funcionalidad de los chips.
La elección de la longitud de onda de 13,5 nm fue un proceso delicado, y la tecnología de Zeiss es un testimonio del nivel de precisión requerido en la fabricación de los espejos. Utilizando iones de argón y técnicas de análisis subnanométrico, Zeiss asegura la calidad de sus productos, capaces de detectar imperfecciones a una escala menor que un nanómetro. En un entorno donde la competencia tecnológica es feroz, el futuro de la fotolitografía y la producción de semiconductores dependerá de la capacidad de las empresas para innovar y adaptarse a estos desafíos.
